開關(guān)電源管理技術(shù)企業(yè)發(fā)展五大熱門關(guān)注點(diǎn)

重點(diǎn)1：PFC轉(zhuǎn)換器

由于交直流變換器的輸入端有整流器和濾波電容，當(dāng)輸入正弦電壓時(shí)，交流輸入端的功率因數(shù)僅為0.6ー0.65。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位，抗干擾電路出問題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。 功率因數(shù)校正變換器可使功率因數(shù)提高到0.95ー0.99，輸入電流小于10% 。 不僅控制了電網(wǎng)的諧波污染，而且提高了供電的整體效率。 來自開關(guān)電源制造商的專家指出，這種被稱為有功功率因數(shù)校正(apfc)的技術(shù)在國內(nèi)外發(fā)展較早，技術(shù)也更加成熟，雖然三相 apfc 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制策略有很多種，但還有很多工作要做。

一般高功率因數(shù)AC / DC開關(guān)電源，用于低功率AC / DC開關(guān)電源中，一個(gè)低的總效率兩類拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和成本高2個(gè)拓?fù)錁?gòu)成。

如果對(duì)輸入端功率進(jìn)行因數(shù)可以要求不特別高時(shí)，將PFC變換器和后級(jí)DC/DC變換器組合成為了一個(gè)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌瑯?gòu)成單級(jí)高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)控制電源，只用到了一個(gè)主開關(guān)管，可使系統(tǒng)功率因數(shù)校正到0.8以上，并使輸出通過直流工作電壓范圍可調(diào)，這種不同拓?fù)涔芾斫Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)稱為單管單級(jí)即S4PFC變換器。

2個(gè)顧慮：一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器模塊VRM

電壓調(diào)節(jié)器模塊是一類具有低電壓、大電流通過輸出DC-DC變換器系統(tǒng)模塊，向微處理器發(fā)展提供一個(gè)電源。

現(xiàn)在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的速度和效率日益提高。 為了降低微處理器的電場(chǎng)強(qiáng)度和功耗IC，新一代微處理器的邏輯電壓降低到1V，而電流高達(dá)50A~100。

焦點(diǎn)3: 全數(shù)字控制

開關(guān)電源已經(jīng)由模擬控制，模數(shù)混合控制的控制，為數(shù)字控制級(jí)。全數(shù)字控制是一個(gè)新的趨勢(shì)，它在許多電源轉(zhuǎn)換設(shè)備中得到應(yīng)用。

但是我們過去數(shù)字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來，電源的高性能全數(shù)字進(jìn)行控制系統(tǒng)芯片技術(shù)已經(jīng)可以開發(fā)，費(fèi)用也已降到比較科學(xué)合理的水平，歐美已有多家企業(yè)公司產(chǎn)品開發(fā)并制造出開關(guān)變換器的數(shù)字經(jīng)濟(jì)控制管理芯片及軟件。

數(shù)字控制的所有優(yōu)點(diǎn)是：將數(shù)字信號(hào)與模擬混頻為數(shù)字信號(hào)可以較小的量相比，芯片價(jià)格比較便宜校準(zhǔn);電流檢測(cè)誤差可以被數(shù)字校正準(zhǔn)確和更精確的檢測(cè)電壓;可以實(shí)現(xiàn)快速，靈活的控制設(shè)計(jì)。

關(guān)注點(diǎn)4：電磁兼容性

高頻開關(guān)控制電源的電磁兼容EMC問題有其特殊性。功率半導(dǎo)體開關(guān)管在開關(guān)設(shè)計(jì)過程中可以產(chǎn)生的di/dt和dv/dt，引起我們強(qiáng)大的傳導(dǎo)電磁干擾和諧波干擾。有 些情況同時(shí)還會(huì)影響引起強(qiáng)電磁場(chǎng)(通常是近場(chǎng))輻射。不但沒有嚴(yán)重程度污染企業(yè)周圍電磁技術(shù)環(huán)境，對(duì)附近的電氣工程設(shè)備管理造成電磁干擾，還可能存在危及附近操作工作人員的安全。